STGW15S120DF3

STGW15S120DF3

STMicroelectronics N.V.

IGBT 1200V 15A TO247 STMicroelectronics , N沟道 IGBT, 30 A, Vce=1200 V, 3针 TO-247封装 IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar

规格参数

商业参数

参数值
工厂包装数量600

合规参数

参数值
RoHSRoHS Compliant

电气参数

参数值
最大栅源电压 Vgs+/- 20 V
晶体管类型单
供电电压1200 V
Vce饱和电压(最大)1.55 V
平均正向功率259 W
最大功耗259 W
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs250 nA
集电极电流(Ic)(最大)15 A
集电极截止电流(最大)30 A
栅极触发电压 Vgt (最大)±20V
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds981pF
连续漏极电流(Id)@ 25°C30 A

机械参数

参数值
宽度5.15mm
高度20.15mm
长度15.75mm
包装方式Tube
安装类型通孔
安装样式Through Hole
引脚数3
封装形式TO247-3
包装数量TO-247
尺寸/外形15.75 x 5.15 x 20.15mm

产品信息

参数值
系列900-1300V IGBTs
通道类型N
制造商全称STMicroelectronics
配置Single
每IC通道数单

环境参数

参数值
工作温度+175 °C