STGP40V60F

STGP40V60F

STMicroelectronics N.V.

IGBT 600V 80A 283W TO220AB IGBT Transistors 600V 40A Trench Gate 1.8V Vce IGBT STGP40V60F Series 600 V 40 A Very High Speed Trench Gate Field-Stop IGBT -TO-220 STMicroelectronics , N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 1MHz, 3针 TO-220封装

规格参数

商业参数

参数值
其他名称497-13872-5
标准包装数量50
工厂包装数量1000

合规参数

参数值
RoHSRoHS Compliant

电气参数

参数值
频率1MHz
IGBT类型Trench and Field Stop
最大栅源电压 Vgs+/- 20 V
输入类型Standard
栅极电荷226nC
最大功率283W
额定功率283 W
晶体管类型单
开关能量867µJ
供电电压600V
Td(开/关)@ 25°C52ns/208ns
Vce饱和电压(最大)2.35 V
平均正向功率283 W
最大功耗283 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic2.3V @ 15V, 40A
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs226nC
集电极电流(Ic)(最大)80A
集电极截止电流(最大)40 A
集电极脉冲电流 (Icm)160A
栅极触发电压 Vgt (最大)±20V
连续漏极电流(Id)@ 25°C80 A

机械参数

参数值
宽度4.6mm
高度15.75mm
长度10.4mm
包装方式Tube
安装类型Through Hole
安装样式Through Hole
引脚数3
封装形式TO-220-3
包装数量TO-220
尺寸/外形10.4 x 4.6 x 15.75mm
供应商器件封装TO-220

产品信息

参数值
系列600-650V IGBTs
功能Y
通道类型N
制造商全称STMicroelectronics
配置Single

环境参数

参数值
测试条件400V, 40A, 10 Ohm, 15V
工作温度- 55 C