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# 元件详情：STGP30M65DF2

- **型号**: STGP30M65DF2
- **oneic 编号**: 390-STGP30M65DF2
- **厂商**: STMicroelectronics N.V.
- **描述**: M Series 650 V 30 A Flange Mount Trench Gate Field Stop IGBT - TO-220 STMicroelectronics , N沟道 IGBT, 60 A, Vce=650 V, 3针 TO-220封装 IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss IGBT 650V 30A 1,95V TO220-3
- **分类**: 分立半导体元件 / IGBT / 分立IGBT

## 规格参数

### 商业参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 工厂包装数量 | 1000 |

### 合规参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 汽车级 | NO |
| 无铅定义 | RoHS-conform |

### 电气参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 频率 | 13.4 nS |
| 晶体管类型 | 单 |
| 供电电压 | 650 V |
| 二极管配置 | YES |
| Td（开/关）@ 25°C | 115 nS |
| 最大功耗 | 258 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 650 V |
| 每端口功率（瓦） | 258 W |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 31.6 nS |
| Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | 1.95 V |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 30 A |
| 集电极截止电流（最大） | 60 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | ±20V |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 2490pF |

### 机械参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 宽度 | 4.6mm |
| 高度 | 15.75mm |
| 长度 | 10.4mm |
| 包装方式 | Tube |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数 | 3 |
| 封装形式 | TO220-3 |
| 包装数量 | TO-220 |
| 尺寸/外形 | 10.4 x 4.6 x 15.75mm |

### 产品信息

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 系列 | 600-650V IGBTs |
| 技术 | Fast |
| 通道类型 | N |
| 制造商全称 | STMicroelectronics |
| 每IC通道数 | 单 |

### 环境参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 工作温度 | +175 °C |

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