STGP30M65DF2

STGP30M65DF2

STMicroelectronics N.V.

M Series 650 V 30 A Flange Mount Trench Gate Field Stop IGBT - TO-220 STMicroelectronics , N沟道 IGBT, 60 A, Vce=650 V, 3针 TO-220封装 IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss IGBT 650V 30A 1,95V TO220-3

规格参数

商业参数

参数值
工厂包装数量1000

合规参数

参数值
RoHSRoHS Compliant
汽车级NO
无铅定义RoHS-conform

电气参数

参数值
频率13.4 nS
晶体管类型单
供电电压650 V
二极管配置YES
Td(开/关)@ 25°C115 nS
最大功耗258 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic650 V
每端口功率(瓦)258 W
开关时间(Ton, Toff)(最大)31.6 nS
Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic1.95 V
集电极电流(Ic)(最大)30 A
集电极截止电流(最大)60 A
栅极触发电压 Vgt (最大)±20V
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds2490pF

机械参数

参数值
宽度4.6mm
高度15.75mm
长度10.4mm
包装方式Tube
安装类型通孔
引脚数3
封装形式TO220-3
包装数量TO-220
尺寸/外形10.4 x 4.6 x 15.75mm

产品信息

参数值
系列600-650V IGBTs
技术Fast
通道类型N
制造商全称STMicroelectronics
每IC通道数单

环境参数

参数值
工作温度+175 °C