STGP30H60DFB

STGP30H60DFB

STMicroelectronics N.V.

IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed

规格参数

商业参数

参数值
工厂包装数量1000

合规参数

参数值
RoHSRoHS Compliant

电气参数

参数值
最大栅源电压 Vgs+/- 20 V
供电电压600 V
Vce饱和电压(最大)1.55 V
平均正向功率260 W
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs+ / - 250 nA
集电极电流(Ic)(最大)60 A
连续漏极电流(Id)@ 25°C60 A

机械参数

参数值
安装样式Through Hole
封装形式TO-220-3

产品信息

参数值
制造商全称STMicroelectronics
配置Single

环境参数

参数值
工作温度- 55 C