STGP30H60DF

STGP30H60DF

STMicroelectronics N.V.

IGBT 600V 60A 150W TO220 IGBT Transistors 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT

规格参数

商业参数

参数值
其他名称497-13583-5
标准包装数量50
工厂包装数量1000

合规参数

参数值
RoHSRoHS Compliant

电气参数

参数值
IGBT类型Trench and Field Stop
最大栅源电压 Vgs20 V
输入类型Standard
栅极电荷115nC
最大功率150W
额定功率260 W
开关能量750µJ
供电电压600V
Td(开/关)@ 25°C50ns/160ns
Vce饱和电压(最大)2.4 V
平均正向功率260 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic1.9V @ 15V, 30A
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs250 nA
集电极电流(Ic)(最大)60A
集电极脉冲电流 (Icm)120A
连续漏极电流(Id)@ 25°C60 A

机械参数

参数值
包装方式Tube
安装类型Through Hole
安装样式Through Hole
封装形式TO-220-3
供应商器件封装TO-220

产品信息

参数值
系列600-650V IGBTs
制造商全称STMicroelectronics
配置Single

环境参数

参数值
测试条件400V, 30A, 10 Ohm, 15V
工作温度- 40 C