STGP10NC60KD

Name: STGP10NC60KD
Brand: STMicroelectronics N.V.

STMicroelectronics N.V.

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IGBT 10A (@100? IGBT 600V 20A 65W TO220 STGP10NC60KD, IGBT Transistor N-channel, 20A 600V, 3-Pin TO-220 IGBT Transistors PowerMESH IGBT IGBTN-CH10A600V STMicroelectronics , N沟道 IGBT, 20 A, Vce=600 V, 3针 TO-220封装 IGBT Transistors PowerMESH" IGBT IGBT 600V 10A 1,9V TO220-3

分类：分立半导体元件IGBT分立IGBT

规格参数

商业参数

参数	值
最小起订量	2000
单位包装	50
其他名称	497-5120-5
产品类别	IGBT Transistors
标准包装数量	Rail / Tube
工厂包装数量	1000
标准封装名称	TO-220

合规参数

参数	值
RoHS	Lead free / RoHS Compliant
欧盟RoHS	Compliant
汽车级	NO
抗辐射加固	No
无铅定义	RoHS-conform

电气参数

参数	值
频率	6 nS
最大栅源电压 Vgs	±20 V
输入类型	Standard
栅极电荷	19nC
最大功率	65W
额定功率	25 W
晶体管类型	单
开关能量	140µJ
供电电压	600V
二极管配置	YES
Td（开/关）@ 25°C	17ns/72ns
Vce饱和电压（最大）	2 V
最小输入电压	600 V
平均正向功率	25 W
最大功耗	60000
集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic	2.5V @ 15V, 5A
每端口功率（瓦）	65 W
反向恢复时间（trr）	22ns
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	100 nA
开关时间（Ton, Toff）（最大）	17 nS
Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic	2.2 V
集电极电流（Ic）（最大）	20A
集电极截止电流（最大）	20 A
集电极脉冲电流 (Icm)	30A
栅极触发电压 Vgt (最大)	±20V

机械参数

参数	值
宽度	4.6mm
高度	9.15mm
长度	10.4mm
包装方式	Tube
插片宽度	Tab
引脚样式	Through Hole
安装类型	Through Hole
安装样式	Through Hole
引脚数	3
封装形式	3TO-220
冷却的封装	TO-220
总长度	10.4(Max)
包装数量	TO-220
尺寸/外形	10.4 x 4.6 x 9.15mm
位数	3
外壳尺寸-插件	9.15(Max)
供应商器件封装	TO-220AB