STGP10M65DF2

STGP10M65DF2

STMicroelectronics N.V.

IGBT 650V 10A TO-220AB STMicroelectronics , N沟道 IGBT, 20 A, Vce=650 V, 3针 TO-220封装 IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss IGBT 650V 10A 1,55V TO220-3

规格参数

商业参数

参数值
工厂包装数量1000

合规参数

参数值
RoHSRoHS Compliant
汽车级NO
无铅定义RoHS-conform

电气参数

参数值
频率7.4 nS
晶体管类型单
供电电压650 V
二极管配置YES
Td(开/关)@ 25°C91 nS
最大功耗115 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic650 V
每端口功率(瓦)115 W
开关时间(Ton, Toff)(最大)19 nS
Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic1.55 V
集电极电流(Ic)(最大)10 A
集电极截止电流(最大)20 A
栅极触发电压 Vgt (最大)±20V
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds840pF

机械参数

参数值
宽度4.6mm
高度15.75mm
长度10.4mm
包装方式Tube
安装类型通孔
引脚数3
封装形式TO220-3
包装数量TO-220
尺寸/外形10.4 x 4.6 x 15.75mm

产品信息

参数值
系列600-650V IGBTs
功能Y
技术Fast
通道类型N
制造商全称STMicroelectronics
其他规格0.66mJ

环境参数

参数值
工作温度+175 °C