STGP10H60DF

STGP10H60DF

STMicroelectronics N.V.

IGBT 600V 20A 115W TO220 STMicroelectronics , N沟道 IGBT, 20 A, Vce=600 V, 1MHz, 3针 TO-220封装 IGBT Transistors Trench gate H series 600V 10A HiSpd

规格参数

商业参数

参数值
标准包装数量50
工厂包装数量1000

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant

电气参数

参数值
频率1MHz
IGBT类型Trench and Field Stop
最大栅源电压 Vgs+/- 20 V
输入类型Standard
栅极电荷57nC
最大功率115W
晶体管类型单
开关能量83µJ (on), 140µJ (off)
供电电压600V
Td(开/关)@ 25°C19.5ns/103ns
Vce饱和电压(最大)1.5 V
平均正向功率115 W
最大功耗115 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic1.95V @ 15V, 10A
反向恢复时间(trr)107ns
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs57nC
集电极电流(Ic)(最大)20A
集电极截止电流(最大)40A
集电极脉冲电流 (Icm)40A
栅极触发电压 Vgt (最大)±20V
连续漏极电流(Id)@ 25°C20 A

机械参数

参数值
宽度4.6mm
高度15.75mm
长度10.4mm
包装方式Tube
安装类型Through Hole
安装样式Through Hole
引脚数3
封装形式TO-220-3
包装数量TO-220
尺寸/外形10.4 x 4.6 x 15.75mm
供应商器件封装TO-220

产品信息

参数值
系列600-650V IGBTs
通道类型N
制造商全称STMicroelectronics
配置Single
每IC通道数单

环境参数

参数值
测试条件400V, 10A, 10 Ohm, 15V
工作温度+175 °C