STGF5H60DF

STGF5H60DF

STMicroelectronics N.V.

STMicroelectronics , N沟道 IGBT, 10 A, Vce=600 V, 3针 TO-220FP封装 IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed

规格参数

商业参数

参数值
工厂包装数量1000

合规参数

参数值
RoHSRoHS Compliant

电气参数

参数值
最大栅源电压 Vgs+/- 20 V
晶体管类型单
供电电压600 V
Vce饱和电压(最大)1.5 V
平均正向功率24 W
最大功耗24 W
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs+ / - 250 nA
集电极电流(Ic)(最大)10 A
集电极截止电流(最大)10 A
栅极触发电压 Vgt (最大)±20V
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds855pF
连续漏极电流(Id)@ 25°C10 A

机械参数

参数值
宽度4.6mm
高度16.4mm
长度10.4mm
安装类型通孔
安装样式Through Hole
引脚数3
封装形式TO-220FP-3
包装数量TO-220FP
尺寸/外形10.4 x 4.6 x 16.4mm

产品信息

参数值
功能Y
通道类型N
制造商全称STMicroelectronics
配置Single
其他规格221µJ

环境参数

参数值
工作温度+175 °C