STGF15H60DF

STGF15H60DF

STMicroelectronics N.V.

IGBT 600V 30A 30W TO220FP STMicroelectronics , N沟道 IGBT, 30 A, Vce=600 V, 1MHz, 3针 TO-220FP封装 IGBT Transistors Trench gate H series 600V 15A HiSpd

规格参数

商业参数

参数值
标准包装数量50
工厂包装数量1000

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant

电气参数

参数值
频率1MHz
IGBT类型Trench and Field Stop
最大栅源电压 Vgs+/- 20 V
输入类型Standard
栅极电荷81nC
最大功率30W
晶体管类型单
开关能量136µJ (on), 207µJ (off)
供电电压600V
Td(开/关)@ 25°C24.5ns/118ns
Vce饱和电压(最大)1.6 V
平均正向功率30 W
最大功耗30 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic2V @ 15V, 15A
反向恢复时间(trr)103ns
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs250 nA
集电极电流(Ic)(最大)30A
集电极截止电流(最大)30 A
集电极脉冲电流 (Icm)60A
栅极触发电压 Vgt (最大)±20V
连续漏极电流(Id)@ 25°C30 A

机械参数

参数值
宽度4.6mm
高度16.4mm
长度10.4mm
包装方式Tube
安装类型Through Hole
安装样式Through Hole
引脚数3
封装形式TO-220-3 Full Pack
包装数量TO-220FP
尺寸/外形10.4 x 4.6 x 16.4mm
供应商器件封装TO-220FP

产品信息

参数值
系列600-650V IGBTs
通道类型N
制造商全称STMicroelectronics
配置Single
每IC通道数单

环境参数

参数值
测试条件400V, 15A, 10 Ohm, 15V
工作温度+175 °C