STGD7NB60ST4

STGD7NB60ST4

STMicroelectronics N.V.

Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R LOW DROP IGBT IGBT 600V 15A 55W DPAK IGBT Transistors N-Ch 600 Volt 7 Amp

规格参数

商业参数

参数值
最小起订量2500
单位包装2500
其他名称497-12594-1
产品类别IGBT Transistors
标准包装数量Tape & Reel
工厂包装数量2500
标准封装名称DPAK

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
欧盟RoHSCompliant

电气参数

参数值
最大栅源电压 Vgs±20 V
输入类型Standard
栅极电荷33nC
最大功率55W
额定功率55 W
开关能量3.5mJ (off)
供电电压600V
Td(开/关)@ 25°C700ns/1.2µs
Vce饱和电压(最大)1.6 V
最小输入电压600 V
平均正向功率55 W
最大功耗55000
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic1.6V @ 15V, 7A
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs+/- 100 nA
集电极电流(Ic)(最大)15A
集电极截止电流(最大)15 A
集电极脉冲电流 (Icm)60A
连续漏极电流(Id)@ 25°C15 A

机械参数

参数值
高度2.4 mm
长度6.6 mm
包装方式Tape and Reel
引脚样式Gull-wing
安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT
封装形式3DPAK
包装数量DPAK
位数3
供应商器件封装D-Pak

产品信息

参数值
系列STGD7NB60S
技术Si
通道类型N
制造商全称STMicroelectronics
配置Single

环境参数

参数值
测试条件480V, 7A, 100 Ohm, 15V
工作温度- 65 C