STGD7NB120ST4

STGD7NB120ST4

STMicroelectronics N.V.

Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK T/R IGBT 1200V 10A 55W DPAK

规格参数

商业参数

参数值
标准包装数量Bulk

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant

电气参数

参数值
最大栅源电压 Vgs±20 V
输入类型Standard
栅极电荷29nc
最大功率55W
开关能量3.2mJ (on), 15mJ (off)
供电电压1200V
Td(开/关)@ 25°C570ns/-
最小输入电压1200 V
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic2.1V @ 15V, 7A
集电极电流(Ic)(最大)10A
集电极截止电流(最大)10 A
集电极脉冲电流 (Icm)20A

机械参数

参数值
包装方式Tape & Reel (TR)
安装类型Through Hole
封装形式3IPAK
供应商器件封装D-Pak

产品信息

参数值
配置Single

环境参数

参数值
测试条件960V, 7A, 1 kOhm, 15V