STGD6NC60HT4

STGD6NC60HT4

STMicroelectronics N.V.

IGBT Transistors PowerMESH IGBT Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R IGBT 600V 15A 56W DPAK

规格参数

商业参数

参数值
其他名称497-5113-2
产品类别IGBT Transistors
标准包装数量2,500
工厂包装数量2500

合规参数

参数值
RoHSCompliant

电气参数

参数值
最大栅源电压 Vgs+/- 20 V
输入类型Standard
栅极电荷13.6nC
最大功率56W
额定功率56 W
开关能量88µJ
供电电压600V
Td(开/关)@ 25°C12ns/76ns
Vce饱和电压(最大)1.9 V
最小输入电压600
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic2.5V @ 15V, 3A
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs100 nA
集电极电流(Ic)(最大)15A
集电极脉冲电流 (Icm)21A
门极触发电流(最大)±20

机械参数

参数值
包装方式Tape and Reel
安装类型Surface Mount
导体类型Gull-wing
安装样式SMD/SMT
引脚数3
封装形式TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
冷却的封装DPAK
包含封装DPAK
供应商器件封装D-Pak

产品信息

参数值
通道类型N
配置Single

环境参数

参数值
测试条件390V, 3A, 10 Ohm, 15V
工作温度- 55 C