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# 元件详情：STGD6M65DF2

- **型号**: STGD6M65DF2
- **oneic 编号**: 390-STGD6M65DF2
- **厂商**: STMicroelectronics N.V.
- **描述**: IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss
- **分类**: 分立半导体元件 / IGBT / 分立IGBT

## 规格参数

### 商业参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 工厂包装数量 | 2500 |

### 合规参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| RoHS | RoHS Compliant |

### 电气参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 最大栅源电压 Vgs | +/- 20 V |
| 供电电压 | 650 V |
| Vce饱和电压（最大） | 1.55 V |
| 平均正向功率 | 88 W |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | +/- 250 uA |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 12 A |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 12 A |

### 机械参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 包装方式 | Reel |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | DPAK-3 |

### 产品信息

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 制造商全称 | STMicroelectronics |
| 配置 | Single |

### 环境参数

| 参数 | 值 |
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| 工作温度 | - 55 C |

## 实时报价

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