STGD6M65DF2

STGD6M65DF2

STMicroelectronics N.V.

IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss

规格参数

商业参数

参数值
工厂包装数量2500

合规参数

参数值
RoHSRoHS Compliant

电气参数

参数值
最大栅源电压 Vgs+/- 20 V
供电电压650 V
Vce饱和电压(最大)1.55 V
平均正向功率88 W
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs+/- 250 uA
集电极电流(Ic)(最大)12 A
连续漏极电流(Id)@ 25°C12 A

机械参数

参数值
包装方式Reel
安装样式SMD/SMT
封装形式DPAK-3

产品信息

参数值
制造商全称STMicroelectronics
配置Single

环境参数

参数值
工作温度- 55 C