STGD3NB60SDT4

STGD3NB60SDT4

STMicroelectronics N.V.

Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R IGBT 600V 3A 1.5V TO252-3 IGBT 600V 6A 48W DPAK IGBT Transistors N-Ch 600 Volt 3 Amp

规格参数

商业参数

参数值
最小起订量2500
单位包装1000
其他名称497-4109-2
标准包装数量Tape & Reel
标准封装名称DPAK

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
欧盟RoHSCompliant
汽车级AEC-Q(100)
无铅定义RoHS-conform

电气参数

参数值
频率150nS
最大栅源电压 Vgs±20 V
输入类型Standard
栅极电荷18nC
最大功率48W
开关能量1.15mJ
供电电压600V
二极管配置YES
Td(开/关)@ 25°C3600nS
最小输入电压600 V
最大功耗48000
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic600V
每端口功率(瓦)45W
反向恢复时间(trr)1700ns
开关时间(Ton, Toff)(最大)3600nS
Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic1.5V
集电极电流(Ic)(最大)3A
集电极截止电流(最大)6 A
集电极脉冲电流 (Icm)25A

机械参数

参数值
包装方式Tape and Reel
引脚样式Gull-wing
安装类型Surface Mount
封装形式3DPAK
包装数量DPAK
位数3
供应商器件封装D-Pak

产品信息

参数值
匹配码STGD3NB60SDT4
技术PowerMESH
通道类型N
配置Single
标准交期14 weeks

环境参数

参数值
测试条件480V, 3A, 1 kOhm, 15V
工作温度175