STGD3HF60HDT4

STGD3HF60HDT4

STMicroelectronics N.V.

Trans IGBT Chip N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R IGBT 600V 7.5A 38W DPAK IGBT Transistors 4.5 A 600V IGBT 20V VGE 25A IFSM

规格参数

商业参数

参数值
其他名称497-10960-2
标准包装数量Tape & Reel
工厂包装数量2500
标准封装名称DPAK

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
欧盟RoHSCompliant
抗辐射加固No

电气参数

参数值
最大栅源电压 Vgs±20 V
输入类型Standard
栅极电荷12nC
最大功率38W
开关能量31µJ
供电电压600V
Td(开/关)@ 25°C11ns/26ns
Vce饱和电压(最大)2.95 V
最小输入电压600 V
平均正向功率38 W
最大功耗38000
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic2.95V @ 15V, 1.5A
反向恢复时间(trr)85ns
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs100 nA
集电极电流(Ic)(最大)7.5A
集电极截止电流(最大)7.5 A
集电极脉冲电流 (Icm)18A
连续漏极电流(Id)@ 25°C7.5 A

机械参数

参数值
包装方式Tape and Reel
引脚样式Gull-wing
安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT
封装形式3DPAK
冷却的封装DPAK
包装数量DPAK
位数3
供应商器件封装D-Pak

产品信息

参数值
系列STGD3HF60HD
通道类型N
制造商全称STMicroelectronics
配置Single

环境参数

参数值
测试条件400V, 1.5A, 100 Ohm, 15V
工作温度Military
结工作温度150C