STGD18N40LZT4

STGD18N40LZT4

STMicroelectronics N.V.

Trans IGBT Chip N-CH 360V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R IGBT 420V 25A 125W DPAK IGBT Transistors EAS 180 mJ-400 V clamped IGBT IGBT, 400V, 25A, DPAK

规格参数

商业参数

参数值
其他名称497-7010-2
产品类别IGBT Transistors
标准包装数量Cut Tape
工厂包装数量2500
标准封装名称DPAK

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHSCompliant
海关税号85412900

电气参数

参数值
最大栅源电压 Vgs12 V
输入类型Logic
栅极电荷29nc
最大功率125W
晶体管类型:IGBT
供电电压420V
Td(开/关)@ 25°C650ns/13.5µs
最小输入电压360 V
最大功耗:125W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic1.7V @ 4.5V, 10A
集电极电流(Ic)(最大)25A
集电极截止电流(最大)25 A
集电极脉冲电流 (Icm)40A

机械参数

参数值
重量0.0138
包装方式Tape and Reel
引脚样式Gull-wing
安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT
引脚数:3
封装形式3DPAK
材料表面处理:-
包装数量DPAK
位数3
供应商器件封装D-Pak

产品信息

参数值
通道类型N
配置Single

环境参数

参数值
工作温度- 55 C