STGD14NC60KT4

STGD14NC60KT4

STMicroelectronics N.V.

Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R IGBT 600V 25A 80W DPAK IGBT Transistors N-channel MOSFET

规格参数

商业参数

参数值
其他名称497-5739-2
产品类别IGBT Transistors
标准包装数量Tape & Reel
工厂包装数量2500
标准封装名称DPAK

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
欧盟RoHSCompliant
抗辐射加固No

电气参数

参数值
最大栅源电压 Vgs±20 V
输入类型Standard
栅极电荷34.4nC
最大功率80W
开关能量237µJ
供电电压600V
Td(开/关)@ 25°C22.5ns/116ns
最小输入电压600 V
最大功耗80000
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic2.5V @ 15V, 7A
集电极电流(Ic)(最大)25A
集电极截止电流(最大)25 A
集电极脉冲电流 (Icm)50A

机械参数

参数值
高度2.4 mm
长度6.6 mm
包装方式Tape and Reel
引脚样式Gull-wing
安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT
封装形式3DPAK
冷却的封装DPAK
包装数量DPAK
位数3
供应商器件封装D-Pak

产品信息

参数值
系列STGD14NC60K
技术Si
通道类型N
制造商全称STMicroelectronics
配置Single

环境参数

参数值
测试条件390V, 7A, 10 Ohm,15V
工作温度- 55 C
结工作温度150C