STFW4N150
STMicroelectronics N.V.
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube MOSFET N-CH 1500V 4A TO3PF STFW4N150, N-channel MOSFET Transistor, 4A 1.5kV, 3-Pin TO-3PF MOSFET N-channel 1500 V 4 A PowerMESH MOSFET, N CH, 1500V, 4A, TO3PF STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 , 4 A, Vds=1500 V, 3针 TO-3PF封装
规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 其他名称 | 497-10004-5 |
| 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Bulk |
| 标准封装名称 | TO-220F |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85412900 |
| 抗辐射加固 | No |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V |
| FET特性 | Standard |
| 最大功率 | 63W |
| 额定功率 | 63 W |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 45 ns |
| 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 击穿电压 | 1500 V |
| 阈值电压 | :4V |
| 导通电阻 RDS(On) | :5ohm |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 7000@10V mOhm |
| 最大功耗 | 63 W |
| 传播延迟（最大） | 30 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 1500 V |
| 导通电阻（最大） | 7 Ω |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 50nC @ 10V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 35 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 1500V (1.5kV) |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 4 A |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 4 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1300pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 4A (Tc) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 5.7mm |
| 高度 | 26.7mm |
| 长度 | 15.7mm |
| 重量 | 0.52 |
| 包装方式 | Tube |
| 引脚样式 | Through Hole |
| 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole |
| 引脚数 | :3 |
| 封装形式 | 3TO-220FP |
| 冷却的封装 | TO-3PF |
| 材料表面处理 | :- |
| 包装数量 | TO-220FP |
| 尺寸/外形 | 15.7 x 5.7 x 26.7mm |
| 位数 | 3 |
| 供应商器件封装 | TO-3PF |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | Power MOSFET |
| 极性 | N |
| 通道类型 | Enhancement |
| 卡标准 | Power MOSFET |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -55 to 150 °C |