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# 元件详情：STF80N10F7

- **型号**: STF80N10F7
- **oneic 编号**: 390-STF80N10F7
- **厂商**: STMicroelectronics N.V.
- **描述**: MOSFET N-CH 100V 40A TO-220FP STMicroelectronics  , N沟道 MOSFET, 40 A, Vds=100 V, 3针 TO-220FP封装 MOSFET N-Ch 100V 0.0085 Ohm typ 40A STripFET VII
- **分类**: 分立半导体元件 / 双极型晶体管 / 通用双极型晶体管

## 规格参数

### 商业参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 标准包装数量 | 50 |
| 工厂包装数量 | 1000 |

### 合规参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| RoHS | RoHS Compliant |

### 电气参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 下降时间 | 21 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 V |
| FET特性 | Standard |
| 栅极电荷 | 44 nC |
| 最大功率 | 30W |
| 开通延迟时间 | 19 ns |
| 输出功能 | 增强 |
| 上升时间（典型） | 13.5 ns |
| 晶体管类型 | Si |
| 关断延迟时间 | 36 ns |
| 首抽头延迟 | 75 ns |
| 供电电压 | 100 V |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 元件数量 | 1 |
| 输入电阻 | 10 mΩ |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 4.5V @ 250µA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 40A, 10V |
| 平均正向功率 | 30 W |
| 最大功耗 | 30 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 100 V |
| 导通电阻（最大） | 270 mOhms |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 45nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 100V |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 3100pF @ 50V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 40A (Tc) |

### 机械参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 宽度 | 4.6mm |
| 高度 | 16.4mm |
| 长度 | 10.4mm |
| 包装方式 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 |
| 封装形式 | TO-220-3 Full Pack |
| 包装数量 | TO-220FP |
| 尺寸/外形 | 10.4 x 4.6 x 16.4mm |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |

### 产品信息

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 系列 | N-channel STripFET |
| 功能 | Y |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | N |
| 制造商全称 | STMicroelectronics |
| 卡标准 | 功率 MOSFET |
| 配置 | Single |

### 环境参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 工作温度 | +175 °C |

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