STF80N10F7

STF80N10F7

STMicroelectronics N.V.

MOSFET N-CH 100V 40A TO-220FP STMicroelectronics , N沟道 MOSFET, 40 A, Vds=100 V, 3针 TO-220FP封装 MOSFET N-Ch 100V 0.0085 Ohm typ 40A STripFET VII

规格参数

商业参数

参数值
标准包装数量50
工厂包装数量1000

合规参数

参数值
RoHSRoHS Compliant

电气参数

参数值
FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
下降时间21 ns
最大栅源电压 Vgs25 V
FET特性Standard
栅极电荷44 nC
最大功率30W
开通延迟时间19 ns
输出功能增强
上升时间(典型)13.5 ns
晶体管类型Si
关断延迟时间36 ns
首抽头延迟75 ns
供电电压100 V
通道数量1 Channel
元件数量1
输入电阻10 mΩ
Vgs(th)(最大)@ Id4.5V @ 250µA
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs10 mOhm @ 40A, 10V
平均正向功率30 W
最大功耗30 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic100 V
导通电阻(最大)270 mOhms
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs45nC @ 10V
漏源电压(Vdss)100V
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds3100pF @ 50V
连续漏极电流(Id)@ 25°C40A (Tc)

机械参数

参数值
宽度4.6mm
高度16.4mm
长度10.4mm
包装方式Tube
安装类型Through Hole
安装样式Through Hole
引脚数3
封装形式TO-220-3 Full Pack
包装数量TO-220FP
尺寸/外形10.4 x 4.6 x 16.4mm
供应商器件封装TO-220FP

产品信息

参数值
系列N-channel STripFET
功能Y
技术Si
通道类型N
制造商全称STMicroelectronics
卡标准功率 MOSFET
配置Single

环境参数

参数值
工作温度+175 °C