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# 元件详情：STF5N60M2

- **型号**: STF5N60M2
- **oneic 编号**: 390-STF5N60M2
- **厂商**: STMicroelectronics N.V.
- **描述**: MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220FP STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET , 3.7 A, Vds=600 V, 3针 TO-220FP封装 MOSFET N-CH 600V 1.26Ohm typ. 3.7A MDmesh M2
- **分类**: 分立半导体元件 / 分立半导体 / 触发二极管

## 规格参数

### 商业参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 标准包装数量 | 50 |
| 工厂包装数量 | 1000 |

### 合规参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |

### 电气参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 V |
| FET特性 | Standard |
| 栅极电荷 | 4.5 nC |
| 最大功率 | 20W |
| 输出功能 | 增强 |
| 晶体管类型 | Si |
| 供电电压 | 600 V |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 元件数量 | 1 |
| 输入电阻 | 1.4 Ω |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 1.85A, 10V |
| 平均正向功率 | 20 W |
| 最大功耗 | 20 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 600 V |
| 导通电阻（最大） | 1.26 Ohms |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 4.5nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 600V |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 165pF @ 100V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 3.7A (Tc) |

### 机械参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 宽度 | 4.6mm |
| 高度 | 16.4mm |
| 长度 | 10.4mm |
| 包装方式 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 |
| 封装形式 | TO-220-3 Full Pack |
| 包装数量 | TO-220FP |
| 尺寸/外形 | 10.4 x 4.6 x 16.4mm |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |

### 产品信息

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 系列 | * |
| 功能 | Y |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | N |
| 制造商全称 | STMicroelectronics |
| 卡标准 | 功率 MOSFET |
| 配置 | Single |

### 环境参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 工作温度 | +150 °C |

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