STF5N60M2

STF5N60M2

STMicroelectronics N.V.

MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220FP STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET , 3.7 A, Vds=600 V, 3针 TO-220FP封装 MOSFET N-CH 600V 1.26Ohm typ. 3.7A MDmesh M2

规格参数

商业参数

参数值
标准包装数量50
工厂包装数量1000

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant

电气参数

参数值
FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
最大栅源电压 Vgs25 V
FET特性Standard
栅极电荷4.5 nC
最大功率20W
输出功能增强
晶体管类型Si
供电电压600 V
通道数量1 Channel
元件数量1
输入电阻1.4 Ω
Vgs(th)(最大)@ Id4V @ 250µA
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs1.4 Ohm @ 1.85A, 10V
平均正向功率20 W
最大功耗20 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic600 V
导通电阻(最大)1.26 Ohms
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs4.5nC @ 10V
漏源电压(Vdss)600V
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds165pF @ 100V
连续漏极电流(Id)@ 25°C3.7A (Tc)

机械参数

参数值
宽度4.6mm
高度16.4mm
长度10.4mm
包装方式Tube
安装类型Through Hole
安装样式Through Hole
引脚数3
封装形式TO-220-3 Full Pack
包装数量TO-220FP
尺寸/外形10.4 x 4.6 x 16.4mm
供应商器件封装TO-220FP

产品信息

参数值
系列*
功能Y
技术Si
通道类型N
制造商全称STMicroelectronics
卡标准功率 MOSFET
配置Single

环境参数

参数值
工作温度+150 °C