STF45N65M5
STMicroelectronics N.V.
MOSFET N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh V MOS Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP T/R MOSFET 650V 0.0 MOSF N CH 650V 35A TO220FP STMicroelectronics , N沟道 MOSFET, 35 A, Vds=710 V, 3针 TO-220FP封装 MOSFET N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 最小起订量 | 1000 |
| 单位包装 | 50 |
| 其他名称 | 497-12939-5 |
| 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | 50 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 标准封装名称 | TO-220F |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| 欧盟RoHS | Compliant |
| 抗辐射加固 | No |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 最大栅源电压 Vgs | ?25 V |
| FET特性 | Standard |
| 最大功率 | 40W |
| 额定功率 | 40 W |
| 开通延迟时间 | 79.5 ns |
| 输出功能 | 增强 |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 关断延迟时间 | 79.5 ns |
| 供电电压 | 710 V |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 元件数量 | 1 |
| 输入电阻 | 78 mΩ |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 击穿电压 | 650 |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 78 mOhm @ 19.5A, 10V |
| 平均正向功率 | 40 W |
| 最大功耗 | 40 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 650 V |
| 导通电阻（最大） | 78 mOhms |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 91nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 650V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 35 |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 35 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 3375pF @ 100V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 35A (Tc) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 4.6mm |
| 高度 | 16.4mm |
| 长度 | 10.4mm |
| 包装方式 | Tape and Reel |
| 引脚样式 | Through Hole |
| 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 |
| 封装形式 | TO-220-3 Full Pack |
| 冷却的封装 | TO-220FP |
| 包装数量 | TO-220FP |
| 尺寸/外形 | 10.4 x 4.6 x 16.4mm |
| 位数 | 3 |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | Power MOSFET |
| 系列 | MDmesh M5 |
| 功能 | Y |
| 极性 | N |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement |
| 制造商全称 | STMicroelectronics |
| 卡标准 | 功率 MOSFET |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -55C to 150C |