STF3NK80Z

STF3NK80Z

STMicroelectronics N.V.

Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube N-CH 800V 3A 5mOhm TO220FP MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP STF3NK80Z, N-channel MOSFET Transistor 2.5A 800V, 3-Pin TO-220FP MOSFET N-Ch 800 Volt 2.5Amp Zener SuperMESH MOSFET, N, TO-220FP MOSFETN2.5A800VTO220F Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.5A; TO220FP

规格参数

商业参数

参数值
最小起订量50
单位包装50
其他名称497-4342-5
产品类别MOSFET
标准包装数量Rail / Tube
工厂包装数量1000
标准封装名称TO-220F

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHSCompliant
海关税号85412900
汽车级NO
抗辐射加固No
无铅定义RoHS-conform

电气参数

参数值
FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
下降时间40 ns
最大栅源电压 Vgs±30 V
逻辑类型NO
FET特性Standard
栅极电荷19 nC
最大功率25W
噪声系数Not Required dB
额定功率25 W
额定输出功率Not Required dB
下降时间(典型)40 ns
最大频率Not Required MHz
上升时间(典型)27 ns
晶体管类型N-Channel
首抽头延迟36 ns
元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id4.5V @ 50µA
钳位电压:170mJ
击穿电压800 V
阈值电压:3.75V
最大额定电流:2.5A
导通电阻 RDS(On):4.5ohm
触点电压(最大):800V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs4500@10V mOhm
最大功耗25 W
传播延迟(最大)27 ns
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic800 V
漏电流(最大)2.5 A
每端口功率(瓦)25W
导通电阻(最大)4.5 Ω
供电电压 (Vcc/Vdd)800V
电流传输比(最小)2.1 S
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs19nC
峰值脉冲电流(8/20µs):10A
开关时间(Ton, Toff)(最大)17 ns
Vce饱和电压(最大)@ Ib, IcNot Required %
漏源电压(Vdss)800V
峰值脉冲电流(10/1000µs)2.5 A
栅极触发电压 Vgt (最大)+/- 30 V
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)2.5A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds485pF @ 25V
连续漏极电流(Id)@ 25°C2.5A (Tc)

机械参数

参数值
宽度4.6mm
高度9.3mm
长度10.4mm
重量0.071959 oz
包装方式Tube
引脚样式Through Hole
端接方式:Through Hole
安装类型Through Hole
安装样式Through Hole
引脚数:3
封装形式3TO-220FP
冷却的封装TO-220FP
材料表面处理:-
包装数量TO-220FP
尺寸/外形10.4 x 4.6 x 9.3mm
位数3
供应商器件封装TO-220FP

产品信息

参数值
SPG50
类型Power MOSFET
极性N
匹配码STF3NK80Z
技术SuperMESH
通道类型Enhancement
卡标准Power MOSFET
配置Single
单元数量1
标准交期10 weeks

环境参数

参数值
工作温度-55 to 150 °C
热阻 @ GPM5K/W