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# 元件详情：STF2LN60K3

- **型号**: STF2LN60K3
- **oneic 编号**: 390-STF2LN60K3
- **厂商**: STMicroelectronics N.V.
- **描述**: MOSFET N CH 600V 2A TO-220FP MOSFET 600V 4.5 MOSFET N-Ch 600V 4ohm 2A SuperMESH3 FET
- **分类**: 分立半导体元件 / IGBT / 分立IGBT

## 规格参数

### 商业参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 最小起订量 | 3000 |
| 单位包装 | 50 |
| 其他名称 | 497-13396-5 |
| 标准包装数量 | 50 |
| 工厂包装数量 | 1000 |

### 合规参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |

### 电气参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 下降时间 | 21 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V |
| FET特性 | Standard |
| 栅极电荷 | 12 nC |
| 最大功率 | 20W |
| 额定功率 | 45 W |
| 上升时间（典型） | 8.5 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 23.5 ns |
| 通道数量 | 1 Channel |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 4.5V @ 50µA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 4.5 Ohm @ 1A, 10V |
| 平均正向功率 | 45 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 600 V |
| 导通电阻（最大） | 4.5 Ohms |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 12nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 600V |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | 30 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 2 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 235pF @ 50V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 2A (Tc) |

### 机械参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 包装方式 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole |
| 封装形式 | TO-220-3 Full Pack |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |

### 产品信息

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 系列 | N-channel MDmesh |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement |
| 制造商全称 | STMicroelectronics |

## 实时报价

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