规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 最小起订量 | 3000 |
| 单位包装 | 50 |
| 其他名称 | 497-13396-5 |
| 标准包装数量 | 50 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 下降时间 | 21 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V |
| FET特性 | Standard |
| 栅极电荷 | 12 nC |
| 最大功率 | 20W |
| 额定功率 | 45 W |
| 上升时间（典型） | 8.5 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 23.5 ns |
| 通道数量 | 1 Channel |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 4.5V @ 50µA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 4.5 Ohm @ 1A, 10V |
| 平均正向功率 | 45 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 600 V |
| 导通电阻（最大） | 4.5 Ohms |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 12nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 600V |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | 30 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 2 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 235pF @ 50V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 2A (Tc) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 包装方式 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole |
| 封装形式 | TO-220-3 Full Pack |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 系列 | N-channel MDmesh |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement |
| 制造商全称 | STMicroelectronics |