STF12N50DM2

STF12N50DM2

STMicroelectronics N.V.

MOSFET

规格参数

商业参数

参数值
工厂包装数量1000

合规参数

参数值
RoHSRoHS Compliant

电气参数

参数值
下降时间9.8 ns
最大栅源电压 Vgs25 V
栅极电荷120 nC
上升时间(典型)9 ns
晶体管类型N-Channel
首抽头延迟28 ns
通道数量1 Channel
Vgs(th)(最大)@ Id4 V
平均正向功率25 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic500 V
导通电阻(最大)299 mOhms
连续漏极电流(Id)@ 25°C11 A

机械参数

参数值
安装样式Through Hole
封装形式TO-220FP-3

产品信息

参数值
技术Si
通道类型Enhancement
制造商全称STMicroelectronics
配置1 N-Channel

环境参数

参数值
工作温度+ 150 C