STF11NM80

Name: STF11NM80
Brand: STMicroelectronics N.V.

STMicroelectronics N.V.

Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube N-CH 800V 11A 350mOhm TO220FP MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP STF11NM80, N-channel MOSFET Transistor 11A 800V, 3-Pin TO-220FP MOSFET N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh MOSFET, N CH, 800V, 11A, TO220FP MOSFETN11A800VTO220FP STMicroelectronics , N沟道 MOSFET, 11 A, Vds=800 V, 3针 TO-220FP封装

分类：集成电路逻辑IC标准逻辑IC

规格参数

商业参数

参数	值
最小起订量	1000
单位包装	50
其他名称	497-4338-5
产品类别	MOSFET
标准包装数量	Rail / Tube
工厂包装数量	1000
标准封装名称	TO-220F

合规参数

参数	值
RoHS	Lead free / RoHS Compliant
SVHC	:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHS	Compliant
海关税号	85423300
汽车级	NO
抗辐射加固	No
无铅定义	RoHS-conform

电气参数

参数	值
FET类型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
下降时间	15 ns
最大栅源电压 Vgs	±30 V
逻辑类型	NO
FET特性	Standard
最大功率	35W
噪声系数	Not Required dB
额定功率	35 W
额定输出功率	Not Required dB
下降时间（典型）	15 ns
最大频率	Not Required MHz
上升时间（典型）	17 ns
晶体管类型	N-Channel
首抽头延迟	46 ns
元件数量	1
Vgs(th)（最大）@ Id	5V @ 250µA
击穿电压	800 V
阈值电压	:4V
最大额定电流	:11A
导通电阻 RDS(On)	:350mohm
触点电压（最大）	:800V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs	400@10V mOhm
最大功耗	35 W
传播延迟（最大）	17 ns
集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic	800 V
漏电流（最大）	11 A
每端口功率（瓦）	35W
导通电阻（最大）	0.4 Ω
供电电压 (Vcc/Vdd)	800V
电流传输比（最小）	8 S
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	43.6nC
开关时间（Ton, Toff）（最大）	22 ns
Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic	Not Required %
漏源电压（Vdss）	800V
峰值脉冲电流（10/1000µs）	11 A
栅极触发电压 Vgt (最大)	+/- 30 V
漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0）	11A
输入电容（Ciss）（最大）@ Vds	1630pF @ 25V
连续漏极电流（Id）@ 25°C	11A (Tc)

机械参数

参数	值
宽度	4.6mm
高度	9.3mm
长度	10.4mm
重量	0.071959 oz
包装方式	Tube
引脚样式	Through Hole
端接方式	:Through Hole
安装类型	Through Hole
安装样式	Through Hole
引脚数	:3
封装形式	3TO-220FP
冷却的封装	TO-220FP
材料表面处理	:-
包装数量	TO-220FP
尺寸/外形	10.4 x 4.6 x 9.3mm
位数	3
供应商器件封装	TO-220FP