STF10NM65N
STMicroelectronics N.V.
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube MOSFET N-CH 650V 9A TO-220FP STF10NM65N, N-channel MOSFET Transistor, 9A 650V, 3-Pin TO-220FP MOSFET N-Channel 650V Power MDmesh STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET , 9 A, Vds=650 V, 3针 TO-220FP封装
规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Rail / Tube |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 标准封装名称 | TO-220F |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| 欧盟RoHS | Compliant |
| 抗辐射加固 | No |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 下降时间 | 20 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±25 V |
| FET特性 | Standard |
| 最大功率 | 25W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 额定功率 | 25 W |
| 额定输出功率 | Not Required dB |
| 开通延迟时间 | 12 ns |
| 下降时间（典型） | 20 ns |
| 最大频率 | Not Required MHz |
| 输出功能 | 增强 |
| 上升时间（典型） | 8 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 关断延迟时间 | 50 ns |
| 首抽头延迟 | 50 ns |
| 供电电压 | 650 V |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 元件数量 | 1 |
| 输入电阻 | 480 M Ω |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 击穿电压 | 650 V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 480@10V mOhm |
| 平均正向功率 | 25 W |
| 最大功耗 | 25 W |
| 传播延迟（最大） | 8 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 650 V |
| 漏电流（最大） | 9 A |
| 导通电阻（最大） | 0.48 Ω |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 25nC @ 10V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 12 ns |
| Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | Not Required % |
| 漏源电压（Vdss） | 650V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 9 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 25 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 9 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 850pF @ 50V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 9A (Tc) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 4.6mm |
| 高度 | 16.4mm |
| 长度 | 10.4mm |
| 包装方式 | Tube |
| 引脚样式 | Through Hole |
| 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 |
| 封装形式 | 3TO-220FP |
| 冷却的封装 | TO-220FP |
| 包装数量 | TO-220FP |
| 尺寸/外形 | 10.4 x 4.6 x 16.4mm |
| 位数 | 3 |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | Power MOSFET |
| 系列 | MDmesh |
| 已删除 | Compliant |
| 功能 | Y |
| 极性 | N |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement |
| 制造商全称 | STMicroelectronics |
| 卡标准 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -55 to 150 °C |