STF10NK50Z

STF10NK50Z

STMicroelectronics N.V.

Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube N-CH 500V 9A 700mOhm TO220FP MOSFET N-CH 500V 9A TO220FP STF10NK50Z, N-channel MOSFET Transistor, 10A 650V, 3-Pin TO-220FP MOSFET POWER MOSFET Zener SuperMESH MOSFET, N CH, 500V, 9A, TO220FP STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 MOSFET , 10 A, Vds=650 V, 3针 TO-220FP封装

规格参数

商业参数

参数值
最小起订量50
单位包装50
其他名称497-4654-5
产品类别MOSFET
标准包装数量Rail / Tube
标准封装名称TO-220F

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHSCompliant
海关税号85423300
汽车级NO
抗辐射加固No
无铅定义RoHS-conform

电气参数

参数值
FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
下降时间15 ns
最大栅源电压 Vgs±30 V
逻辑类型NO
FET特性Standard
栅极电荷39.2 nC
最大功率30W
额定功率30 W
下降时间(典型)15 ns
上升时间(典型)17 ns
晶体管类型N-Channel
首抽头延迟43 ns
元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id4.5V @ 100µA
击穿电压500 V
阈值电压:3.75V
最大额定电流:9A
导通电阻 RDS(On):550mohm
触点电压(最大):500V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs700@10V mOhm
最大功耗35 W
传播延迟(最大)17 ns
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic500 V
每端口功率(瓦)30W
导通电阻(最大)1 Ω
供电电压 (Vcc/Vdd)500V
电流传输比(最小)7 S
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs39.2nC
开关时间(Ton, Toff)(最大)19 ns
漏源电压(Vdss)500V
峰值脉冲电流(10/1000µs)9 A
栅极触发电压 Vgt (最大)+/- 30 V
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)9A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds1219pF @ 25V
连续漏极电流(Id)@ 25°C9A (Tc)

机械参数

参数值
宽度4.6mm
高度16.4mm
长度10.4mm
重量0.0002
包装方式Tube
插片宽度Tab
引脚样式Through Hole
端接方式:Through Hole
安装类型Through Hole
安装样式Through Hole
引脚数:3
封装形式3TO-220FP
冷却的封装TO-220FP
材料表面处理:-
总长度10.4(Max)
包装数量TO-220FP
尺寸/外形10.4 x 4.6 x 16.4mm
位数3
外壳尺寸-插件16.4(Max)
供应商器件封装TO-220FP

产品信息

参数值
类型Power MOSFET
极性N
匹配码STF10NK50Z
技术SuperMESH
通道类型Enhancement
卡标准Power MOSFET
配置Single
标准交期10 weeks
印刷电路板数量3

环境参数

参数值
工作温度-55 to 150 °C
热阻 @ GPM4.2K/W