STF100N6F7

STF100N6F7

STMicroelectronics N.V.

MOSFET N-CH 60V 46A F7 TO220FP STMicroelectronics , N沟道 MOSFET, 46 A, Vds=60 V, 3针 TO-220FP封装 MOSFET N-CH 60V 46A 5,6mOhm TO220FP

规格参数

商业参数

参数值
工厂包装数量1000

合规参数

参数值
RoHSRoHS Compliant
汽车级NO
无铅定义RoHS-conform

电气参数

参数值
下降时间15 ns
最大栅源电压 Vgs20 V
栅极电荷30 nC
开通延迟时间21.6 ns
输出功能增强
上升时间(典型)55.5 ns
晶体管类型Si
关断延迟时间28.6 ns
首抽头延迟28.6 ns
供电电压1.2V
通道数量1 Channel
元件数量1
输入电阻0.0056 Ω
Vgs(th)(最大)@ Id2 V
二极管配置NO
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs5.6 mOhm
平均正向功率25 W
最大功耗25 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic60 V
逻辑电压 - VIL, VIHNO
每端口功率(瓦)25 W
导通电阻(最大)5.6 mOhms
空闲电流,典型值 @ 25°C46 A
供电电压 (Vcc/Vdd)60 V
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs±20 V
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds1980 pF @ 25 V
连续漏极电流(Id)@ 25°C46 A

机械参数

参数值
宽度4.6mm
高度9.3mm
长度10.4mm
包装方式Tube
安装类型通孔
安装样式Through Hole
引脚数3
封装形式TO-220FP-3
包装数量TO-220FP
尺寸/外形10.4 x 4.6 x 9.3mm

产品信息

参数值
技术Si
通道类型N
制造商全称STMicroelectronics
卡标准功率 MOSFET
配置Single

环境参数

参数值
工作温度+175 °C
热阻 @ GPM6 K/W