STDLED656

STDLED656

STMicroelectronics N.V.

MSOFET N-CH 650V DPAK MOSFET N-CH 650V 6A DPAK

规格参数

商业参数

参数值
其他名称497-13944-1
标准包装数量2,500

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant

电气参数

参数值
FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特性Standard
最大功率30W
Vgs(th)(最大)@ Id4.5V @ 50µA
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs1.3 Ohm @ 2.7A, 10V
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs34nC @ 10V
漏源电压(Vdss)650V
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds895pF @ 100V
连续漏极电流(Id)@ 25°C6A (Tc)

机械参数

参数值
包装方式Tape & Reel (TR)
安装类型Surface Mount
封装形式TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装DPAK