规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 其他名称 | 497-10706-2 |
| 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Tape & Reel |
| 标准封装名称 | DPAK |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| 欧盟RoHS | Compliant |
| 抗辐射加固 | No |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 下降时间 | 6 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| FET特性 | Logic Level Gate |
| 栅极电荷 | 25 nC |
| 最大功率 | 60W |
| 额定功率 | 60 W |
| 下降时间（典型） | 6 ns |
| 上升时间（典型） | 15 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 25 ns |
| 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 击穿电压 | 40 V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 8.5@10V mOhm |
| 最大功耗 | 60000 |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 40 V |
| 导通电阻（最大） | 8.5@10V |
| 电流传输比（最小） | 1.5 V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 25nC @ 10V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 15 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 40V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 55 A |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 55 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1600pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 55A (Tc) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 包装方式 | Tape and Reel |
| 引脚样式 | Gull-wing |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | 3DPAK |
| 冷却的封装 | DPAK |
| 包装数量 | DPAK |
| 位数 | 3 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | Power MOSFET |
| 已删除 | Compliant |
| 极性 | N |
| 通道类型 | Enhancement |
| 配置 | Single |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -55 to 175 °C |