STD4NK100Z

STD4NK100Z

STMicroelectronics N.V.

MOSFET N-CH 1000V 2.2A DPAK STMicroelectronics , N沟道 MOSFET, 2.2 A, Vds=1000 V, 3针 DPAK封装 MOSFET N-channel 1000 V, 5.6 Ohm typ., 2.2 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in DPAK package

规格参数

商业参数

参数值
产品Power MOSFET
工厂包装数量2500

合规参数

参数值
RoHSRoHS Compliant

电气参数

参数值
下降时间39 ns
最大栅源电压 Vgs30 V
栅极电荷18 nC
开通延迟时间15 ns
输出功能增强
上升时间(典型)7.5 ns
晶体管类型Si
关断延迟时间32 ns
供电电压1.6V
通道数量1 Channel
元件数量1
输入电阻6.8 Ω
Vgs(th)(最大)@ Id3 V to 4.5 V
平均正向功率90 W
最大功耗90 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic1000 V
导通电阻(最大)6.8 Ohms
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs±30 V
开关时间(Ton, Toff)(最大)15 ns
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds601 pF @ 25 V
连续漏极电流(Id)@ 25°C2.2 A

机械参数

参数值
宽度6.2mm
高度2.4mm
长度6.6mm
包装方式Reel
安装类型表面贴装
安装样式SMD/SMT
引脚数3
封装形式TO-252-3
包装数量DPAK
尺寸/外形6.6 x 6.2 x 2.4mm

产品信息

参数值
类型SuperMESH
系列N-channel MDmesh
技术Si
通道类型N
制造商全称STMicroelectronics
卡标准功率 MOSFET

环境参数

参数值
工作温度+150 °C