STD45NF75T4

STD45NF75T4

STMicroelectronics N.V.

Trans MOSFET N-CH 75V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R MOSFET 75V 0.02 MOSFET N-CH 75V 40A DPAK MOSFET N-Ch 75 Volt 40 Amp MOSFET, N CH, 75V, 40A, DPAK STMicroelectronics , N沟道 MOSFET, 40 A, Vds=75 V, 3针 DPAK封装

规格参数

商业参数

参数值
最小起订量2500
单位包装2500
其他名称497-4334-2
产品类别MOSFET
标准包装数量Tape & Reel
工厂包装数量2500
标准封装名称DPAK

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHSCompliant
海关税号85423300

电气参数

参数值
FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
下降时间12 ns
最大栅源电压 Vgs±20 V
FET特性Standard
最大功率125W
额定功率125 W
下降时间(典型)12 ns
上升时间(典型)40 ns
晶体管类型N-Channel
首抽头延迟55 ns
元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id4V @ 250µA
击穿电压75 V
阈值电压:4V
最大额定电流:40A
导通电阻 RDS(On):18mohm
触点电压(最大):75V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs24@10V mOhm
最大功耗:125W
传播延迟(最大)40 ns
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic75 V
导通电阻(最大)24@10V
电流传输比(最小)50 S
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs80nC @ 10V
开关时间(Ton, Toff)(最大)15 ns
漏源电压(Vdss)75V
峰值脉冲电流(10/1000µs)40 A
栅极触发电压 Vgt (最大)+/- 20 V
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)40 A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds1760pF @ 25V
连续漏极电流(Id)@ 25°C40A (Tc)

机械参数

参数值
重量0.0002
包装方式Tape and Reel
引脚样式Gull-wing
端接方式:SMD
安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT
引脚数:3
封装形式3DPAK
材料表面处理:MSL 1 - Unlimited
包装数量DPAK
位数3
供应商器件封装D-Pak

产品信息

参数值
通道类型Enhancement
配置Single

环境参数

参数值
工作温度-55 to 175 °C