STD30NF06T4

STD30NF06T4

STMicroelectronics N.V.

Trans MOSFET N-CH 60V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R N-CH 60V 30A 28mOhm TO252-3 MOSFET N-CH 60V 28A DPAK MOSFET N-channel 60 V MOSFET, N CH, 60V, 28A, DPAK

规格参数

商业参数

参数值
最小起订量2500
单位包装2500
其他名称497-6562-1
产品类别MOSFET
标准包装数量Tape & Reel
工厂包装数量2500
标准封装名称DPAK

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHSCompliant
海关税号85423300
汽车级NO
抗辐射加固No
无铅定义RoHS-conform

电气参数

参数值
FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
下降时间20 ns
最大栅源电压 Vgs±20 V
逻辑类型NO
FET特性Logic Level Gate
最大功率70W
噪声系数Not Required dB
额定功率70 W
额定输出功率Not Required dB
最大频率Not Required MHz
上升时间(典型)100 ns
晶体管类型N-Channel
首抽头延迟50 ns
元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id4V @ 250µA
击穿电压60 V
阈值电压:4V
最大额定电流:28A
导通电阻 RDS(On):20mohm
触点电压(最大):60V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs28@10V mOhm
最大功耗:70W
传播延迟(最大)100 ns
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic60 V
漏电流(最大)28 A
每端口功率(瓦)70W
导通电阻(最大)0.028 ohm
供电电压 (Vcc/Vdd)60V
电流传输比(最小)40 S
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs58nC
开关时间(Ton, Toff)(最大)20 ns
Vce饱和电压(最大)@ Ib, IcNot Required %
漏源电压(Vdss)60V
峰值脉冲电流(10/1000µs)28 A
栅极触发电压 Vgt (最大)+/- 20 V
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)30A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds1750pF @ 25V
连续漏极电流(Id)@ 25°C28A (Tc)

机械参数

参数值
重量0.0002
包装方式Tape and Reel
引脚样式Gull-wing
端接方式:SMD
安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT
引脚数:3
封装形式3DPAK
冷却的封装DPAK
材料表面处理:MSL 1 - Unlimited
包装数量DPAK
位数3
供应商器件封装D-Pak

产品信息

参数值
类型Power MOSFET
极性N
匹配码STD30NF06T4
技术StripFET
通道类型Enhancement
配置Single
标准交期12 weeks

环境参数

参数值
工作温度-55 to 175 °C
热阻 @ GPM2.14K/W