STD28P3LLH6AG

STD28P3LLH6AG

STMicroelectronics N.V.

STD28P3LLH6AG 系列 30 V 0.030 Ohm P-沟道 STripFET™ H6 功率 MOSFET - DPAK-3 MOSFET

规格参数

商业参数

参数值
工厂包装数量2500

合规参数

参数值
RoHSRoHS Compliant

电气参数

参数值
下降时间6.9 ns
最大栅源电压 Vgs+/- 18 V
栅极电荷29 nC
上升时间(典型)7.9 ns
晶体管类型P-Channel
首抽头延迟41.5 ns
通道数量1 Channel
Vgs(th)(最大)@ Id- 1 V
平均正向功率33 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic- 30 V
导通电阻(最大)0.027 Ohms
连续漏极电流(Id)@ 25°C- 12 A

机械参数

参数值
包装方式Reel
安装样式SMD/SMT
封装形式TO-252-3

产品信息

参数值
技术Si
通道类型Enhancement
制造商全称STMicroelectronics
配置Single

环境参数

参数值
工作温度+ 150 C