STD155N3LH6
STMicroelectronics N.V.
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK STD155N3LH6, N-channel MOSFET Transistor, 80A 30V, 3-Pin TO-252 MOSFET Nchannel 30 V 0.0024 Ohm80A DPAK STripFET STMicroelectronics DeepGate DeepGate, STripFET STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET , 80 A, Vds=30 V, 3针 TO-252封装
规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 其他名称 | 497-11308-2 |
| 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Tape & Reel |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 标准封装名称 | D2PAK |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| 欧盟RoHS | Compliant |
| 抗辐射加固 | No |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| FET特性 | Logic Level Gate |
| 栅极电荷 | 80 nC |
| 最大功率 | 110W |
| 额定功率 | 110 W |
| 开通延迟时间 | 15 ns |
| 下降时间（典型） | 40 ns |
| 输出功能 | 增强 |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 关断延迟时间 | 100 ns |
| 首抽头延迟 | 100 ns |
| 供电电压 | 30 V |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 元件数量 | 1 |
| 输入电阻 | 4 mΩ |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 击穿电压 | 30 V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 3@10V mOhm |
| 平均正向功率 | 110 W |
| 最大功耗 | 110 W |
| 传播延迟（最大） | 85 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V |
| 导通电阻（最大） | 4 mΩ |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 80nC @ 5V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 15 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 80 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 80 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 3800pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 80A (Tc) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 6.2mm |
| 高度 | 2.4mm |
| 长度 | 6.6mm |
| 包装方式 | Tape and Reel |
| 引脚样式 | Gull-wing |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | 3 |
| 封装形式 | 3D2PAK |
| 冷却的封装 | TO-252 |
| 包装数量 | D2PAK |
| 尺寸/外形 | 6.6 x 6.2 x 2.4mm |
| 位数 | 3 |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | Power MOSFET |
| 系列 | DeepGate, STripFET |
| 功能 | Y |
| 极性 | N |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement |
| 制造商全称 | STMicroelectronics |
| 卡标准 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -55 to 175 °C |