规格参数
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | RoHS Compliant Part |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| 开通延迟时间 | 16 ns |
| 输出功能 | 增强 |
| 晶体管类型 | Si |
| 关断延迟时间 | 32 ns |
| 首抽头延迟 | 32 ns |
| 供电电压 | 100 V |
| 元件数量 | 1 |
| 输入电阻 | 0.13 Ω |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2V |
| 击穿电压 | 100 V |
| 最大功耗 | 50 W |
| 导通电阻（最大） | 0.13 Ω |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 15.3 nC V @ 10 |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 16 ns |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 13 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 460 pF V @ 25 |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 13 A |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 6.2mm |
| 高度 | 2.4mm |
| 长度 | 6.6mm |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 |
| 冷却的封装 | TO-252 |
| 包装数量 | TO-252 |
| 尺寸/外形 | 6.6 x 6.2 x 2.4mm |
| 位数 | 3 |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 通道类型 | Enhancement |
| 卡标准 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | +175 °C |