STB9NK80Z

STB9NK80Z

STMicroelectronics N.V.

MOSFET N-CH 800V D2PAK MOSFET N-CH 800V 1.5Ohm typ 5.2A Zener-protected

规格参数

商业参数

参数值
其他名称497-13936-1
标准包装数量1,000
工厂包装数量1000

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant

电气参数

参数值
FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
下降时间22 ns
最大栅源电压 Vgs30 V
FET特性Standard
栅极电荷40 nC
最大功率125W
额定功率125 W
上升时间(典型)12 ns
晶体管类型N-Channel
首抽头延迟45 ns
通道数量1 Channel
Vgs(th)(最大)@ Id4.5V @ 100µA
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs1.8 Ohm @ 2.6A, 10V
平均正向功率125 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic800 V
导通电阻(最大)1.5 Ohms
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs40nC @ 10V
漏源电压(Vdss)800V
栅极触发电压 Vgt (最大)+/- 30 V
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)5.2 A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds1138pF @ 25V
连续漏极电流(Id)@ 25°C5.2A (Tc)

机械参数

参数值
包装方式Tape & Reel (TR)
安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT
封装形式TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装D2PAK

产品信息

参数值
系列N-channel MDmesh
技术Si
制造商全称STMicroelectronics
配置Single

环境参数

参数值
工作温度- 55 C