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# 元件详情：STB95N4F3

- **型号**: STB95N4F3
- **oneic 编号**: 390-STB95N4F3
- **厂商**: STMicroelectronics N.V.
- **描述**: MOSFET N-Ch 40V 5.0mOhm 80A STripFET III Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R MOSFET POWER N-CH 40V 80A
- **分类**: 分立半导体元件 / IGBT / 分立IGBT

## 规格参数

### 商业参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 其他名称 | 497-12427-2 |
| 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | 1,000 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 标准封装名称 | D2PAK |

### 合规参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| 欧盟RoHS | Compliant |
| 抗辐射加固 | No |

### 电气参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 下降时间 | 15 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | �20 V |
| FET特性 | Standard |
| 栅极电荷 | 40 nC |
| 最大功率 | 110W |
| 额定功率 | 110 W |
| 上升时间（典型） | 50 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 40 ns |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 击穿电压 | 40 |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 5.8 mOhm @ 40A, 10V |
| 平均正向功率 | 110 W |
| 最大功耗 | 110000 |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 40 V |
| 导通电阻（最大） | 5.8 mOhms |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 54nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 40V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 80 |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 80 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 2200pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 80A (Tc) |

### 机械参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 宽度 | 9.35(Max) |
| 包装方式 | Tape and Reel |
| 插片宽度 | Tab |
| 引脚样式 | Gull-wing |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 冷却的封装 | D2PAK |
| 总长度 | 10.4(Max) |
| 包装数量 | D2PAK |
| 位数 | 3 |
| 外壳尺寸-插件 | 4.6(Max) |
| 供应商器件封装 | D²PAK |

### 产品信息

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 类型 | Power MOSFET |
| 系列 | N-channel STripFET |
| 已删除 | Compliant |
| 极性 | N |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | N |
| 制造商全称 | STMicroelectronics |
| 配置 | Single |
| 印刷电路板数量 | 2 |

### 环境参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 工作温度 | - 55 C |

## 数据手册

- [D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013](http://media.digikey.com/pdf/PCNs/STMicroelectronics/CRP-13-8135_D2PAK_Leads.pdf)
- [ST(B,D,P)95N4F3](http://www.st.com/web/en/resource/technical/document/datasheet/CD00153132.pdf)

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