规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 其他名称 | 497-12427-2 |
| 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | 1,000 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 标准封装名称 | D2PAK |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| 欧盟RoHS | Compliant |
| 抗辐射加固 | No |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 下降时间 | 15 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | �20 V |
| FET特性 | Standard |
| 栅极电荷 | 40 nC |
| 最大功率 | 110W |
| 额定功率 | 110 W |
| 上升时间（典型） | 50 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 40 ns |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 击穿电压 | 40 |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 5.8 mOhm @ 40A, 10V |
| 平均正向功率 | 110 W |
| 最大功耗 | 110000 |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 40 V |
| 导通电阻（最大） | 5.8 mOhms |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 54nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 40V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 80 |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 80 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 2200pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 80A (Tc) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 9.35(Max) |
| 包装方式 | Tape and Reel |
| 插片宽度 | Tab |
| 引脚样式 | Gull-wing |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 冷却的封装 | D2PAK |
| 总长度 | 10.4(Max) |
| 包装数量 | D2PAK |
| 位数 | 3 |
| 外壳尺寸-插件 | 4.6(Max) |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | Power MOSFET |
| 系列 | N-channel STripFET |
| 已删除 | Compliant |
| 极性 | N |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | N |
| 制造商全称 | STMicroelectronics |
| 配置 | Single |
| 印刷电路板数量 | 2 |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | - 55 C |