STB95N3LLH6

STB95N3LLH6

STMicroelectronics N.V.

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R MOSFET 30V 0.00 MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK STB95N3LLH6, N-channel MOSFET Transistor, 80A 30V, 3-Pin TO-263 MOSFET, N CH, 30V, 80A, D2PAK STMicroelectronics N沟道 MOSFET 晶体管 , 80 A, Vds=30 V, 3针 TO-263封装

规格参数

商业参数

参数值
最小起订量2000
单位包装1000
其他名称497-10022-2
标准包装数量Tape & Reel
标准封装名称D2PAK

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHSCompliant
海关税号85412900

电气参数

参数值
FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
最大栅源电压 Vgs±20 V
FET特性Logic Level Gate
最大功率70W
下降时间(典型)23.4 ns
晶体管类型:N Channel
首抽头延迟24.5 ns
元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id2.5V @ 250µA
击穿电压30 V
阈值电压:1V
导通电阻 RDS(On):0.0037ohm
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs4.2@10V mOhm
最大功耗70 W
传播延迟(最大)91 ns
导通电阻(最大)0.0075 Ω
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs24.5nC @ 4.5V
开关时间(Ton, Toff)(最大)19 ns
漏源电压(Vdss)30V
峰值脉冲电流(10/1000µs)80 A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds2200pF @ 25V
连续漏极电流(Id)@ 25°C80A (Tc)

机械参数

参数值
宽度10.4mm
高度4.6mm
长度10.75mm
重量0.138
包装方式Tape and Reel
插片宽度Tab
引脚样式Gull-wing
安装类型Surface Mount
引脚数:3
封装形式3D2PAK
冷却的封装TO-263
材料表面处理:MSL 1 - Unlimited
总长度10.4(Max)
包装数量D2PAK
尺寸/外形10.75 x 10.4 x 4.6mm
位数3
外壳尺寸-插件4.6(Max)
供应商器件封装D2PAK

产品信息

参数值
通道类型Enhancement
卡标准Power MOSFET
印刷电路板数量2

环境参数

参数值
工作温度-55 to 175 °C