STB8N65M5
STMicroelectronics N.V.
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R MOSFET 650V 0.6 MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK STB8N65M5, N-channel MOSFET Transistor, 7A 650V, 3-Pin TO-263 MOSFET MDmesh V N-Ch 650V 710V VDSS MOSFET, N CH, 650V, 7A, D2PAK STMicroelectronics , N沟道 MOSFET, 7 A, Vds=650 V, 3针 TO-263封装
规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 最小起订量 | 1000 |
| 单位包装 | 1000 |
| 其他名称 | 497-10875-2 |
| 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Tape & Reel |
| 标准封装名称 | D2PAK |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85412900 |
| 抗辐射加固 | No |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 最大栅源电压 Vgs | ±25 V |
| FET特性 | Standard |
| 最大功率 | 70W |
| 额定功率 | 70 W |
| 下降时间（典型） | 11 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 20 ns |
| 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 击穿电压 | 650 V |
| 阈值电压 | :4V |
| 导通电阻 RDS(On) | :0.56ohm |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 600@10V mOhm |
| 最大功耗 | 70 W |
| 传播延迟（最大） | 14 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 650 V |
| 导通电阻（最大） | 0.6 Ω |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 15nC @ 10V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 50 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 650V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 7 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | 25 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 7 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 690pF @ 100V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 7A (Tc) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 10.4mm |
| 高度 | 4.6mm |
| 长度 | 10.75mm |
| 重量 | 0.138 |
| 包装方式 | Tape and Reel |
| 插片宽度 | Tab |
| 引脚样式 | Gull-wing |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | :3 |
| 封装形式 | 3D2PAK |
| 冷却的封装 | TO-263 |
| 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited |
| 总长度 | 10.4(Max) |
| 包装数量 | D2PAK |
| 尺寸/外形 | 10.75 x 10.4 x 4.6mm |
| 位数 | 3 |
| 外壳尺寸-插件 | 4.6(Max) |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | Power MOSFET |
| 极性 | N |
| 通道类型 | Enhancement |
| 卡标准 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
| 印刷电路板数量 | 2 |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -55 to 150 °C |