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# 元件详情：STB85NF3LLT4

- **型号**: STB85NF3LLT4
- **oneic 编号**: 390-STB85NF3LLT4
- **厂商**: STMicroelectronics N.V.
- **描述**: Trans MOSFET N-CH 30V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R MOSFET N-CH 30V 85A D2PAK
- **分类**: 分立半导体元件 / IGBT / 分立IGBT

## 规格参数

### 商业参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 其他名称 | 497-7953-1 |
| 标准包装数量 | Tape & Reel |
| 标准封装名称 | D2PAK |

### 合规参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| 欧盟RoHS | Compliant |

### 电气参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 最大栅源电压 Vgs | ±16 V |
| FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 110W |
| 首抽头延迟 | 36.5 ns |
| 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 击穿电压 | 30 V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 8@10V mOhm |
| 最大功耗 | 110000 |
| 传播延迟（最大） | 130 ns |
| 导通电阻（最大） | 8@10V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 40nC @ 4.5V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 22 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 85 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 2210pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 85A (Tc) |

### 机械参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 宽度 | 9.35(Max) |
| 包装方式 | Tape and Reel |
| 插片宽度 | Tab |
| 引脚样式 | Gull-wing |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 封装形式 | 3D2PAK |
| 总长度 | 10.4(Max) |
| 包装数量 | D2PAK |
| 位数 | 3 |
| 外壳尺寸-插件 | 4.6(Max) |
| 供应商器件封装 | D2PAK |

### 产品信息

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 通道类型 | Enhancement |
| 印刷电路板数量 | 2 |

### 环境参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 工作温度 | -65 to 175 °C |

## 数据手册

- [Power MOSFET Transistors 29/Jul/2013](http://media.digikey.com/pdf/PCNs/STMicroelectronics/IPD-PWR-13-8023_Obs.pdf)
- [Datasheet](http://www.st.com/web/en/resource/technical/document/datasheet/CD00002373.pdf)
- [STB85NF3LL](http://www.st.com/web/en/resource/technical/document/datasheet/CD00002373.pdf)

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