STB85NF3LLT4

STB85NF3LLT4

STMicroelectronics N.V.

Trans MOSFET N-CH 30V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R MOSFET N-CH 30V 85A D2PAK

规格参数

商业参数

参数值
其他名称497-7953-1
标准包装数量Tape & Reel
标准封装名称D2PAK

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
欧盟RoHSCompliant

电气参数

参数值
FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
最大栅源电压 Vgs±16 V
FET特性Logic Level Gate
最大功率110W
首抽头延迟36.5 ns
元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id1V @ 250µA
击穿电压30 V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs8@10V mOhm
最大功耗110000
传播延迟(最大)130 ns
导通电阻(最大)8@10V
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs40nC @ 4.5V
开关时间(Ton, Toff)(最大)22 ns
漏源电压(Vdss)30V
峰值脉冲电流(10/1000µs)85 A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds2210pF @ 25V
连续漏极电流(Id)@ 25°C85A (Tc)

机械参数

参数值
宽度9.35(Max)
包装方式Tape and Reel
插片宽度Tab
引脚样式Gull-wing
安装类型Surface Mount
封装形式3D2PAK
总长度10.4(Max)
包装数量D2PAK
位数3
外壳尺寸-插件4.6(Max)
供应商器件封装D2PAK

产品信息

参数值
通道类型Enhancement
印刷电路板数量2

环境参数

参数值
工作温度-65 to 175 °C