STB7N52K3

STB7N52K3

STMicroelectronics N.V.

Trans MOSFET N-CH 525V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R MOSFET 525V 0.8 MOSFET N-CH 525V 6.2A D2PAK STB7N52K3 Series N-Channel 525 V 0.85 Ohm SuperMesh III Power MosFet - D2PAK

规格参数

商业参数

参数值
最小起订量2000
单位包装1000
其他名称497-10023-2
标准包装数量Tape & Reel
标准封装名称D2PAK

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
欧盟RoHSCompliant

电气参数

参数值
FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
最大栅源电压 Vgs±30 V
FET特性Standard
最大功率90W
下降时间(典型)19 ns
首抽头延迟36 ns
元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id4.5V @ 50µA
击穿电压525 V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs850@10V mOhm
最大功耗90000
传播延迟(最大)11 ns
导通电阻(最大)850@10V
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs34nC @ 10V
开关时间(Ton, Toff)(最大)13 ns
漏源电压(Vdss)525V
峰值脉冲电流(10/1000µs)6 A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds737pF @ 100V
连续漏极电流(Id)@ 25°C6A (Tc)

机械参数

参数值
宽度9.35(Max)
包装方式Tape and Reel
插片宽度Tab
引脚样式Gull-wing
安装类型Surface Mount
封装形式3D2PAK
总长度10.4(Max)
包装数量D2PAK
位数3
外壳尺寸-插件4.6(Max)
供应商器件封装D2PAK

产品信息

参数值
通道类型Enhancement
印刷电路板数量2

环境参数

参数值
工作温度-55 to 150 °C